§ 1. Сравнительные возможности рентгеноструктурного анализа, нейтронографии и электронографии кристаллов

Описанные основы структурного анализа кристаллов, его математический аппарат и частные методические схемы исследований, вообще говоря, одинаково применимы как в рентгеноструктурном (РСА), так и в электронографическом (ЭСА) и нейтронографическом (НСА) структурном анализе. Все три метода основаны на одном общем эффекте - дифракции волн, пропускаемых через кристалл, - и различаются лишь сущностью тех элементарных актов рассеяния, из которых складывается дифракция. Рентгеновские лучи рассеиваются электронами атомов (ядра атомов в этом рассеянии практически не участвуют). Поток электронов рассеивается в электромагнитном поле атомов, т. е. на электростатическом потенциале, создаваемом ядрами и электронами атомов. Поток нейтронов рассеивается только ядрами атомов.

Однако как технические, так во многих отношениях и принципиальные возможности этих трех родственных методов далеко неодинаковы.

Рис. 59. Сравнение трех дифракционных методов: а - степень размытости максимумов плотности; б - ослабление рассеяния с увеличением sin θ/λ,